МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - Р. Х. Акчурин | |
Информация о книге: МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ , затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей. Скачать Р. Х. Акчурин : МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники.  МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - Р. Х. Акчурин МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники - Р. Х. Акчурин | |
|
| |